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文献
J-GLOBAL ID:200902249179090147   整理番号:03A0258119

GaAs1-xBixの分子ビームエピタクシーによる成長

Molecular beam epitaxy growth of GaAs1-xBix
著者 (7件):
TIXIER S
(Univ. British Columbia, BC, CAN)
ADAMCYK M
(Univ. British Columbia, BC, CAN)
TIEDJE T
(Univ. British Columbia, BC, CAN)
FRANCOEUR S
(National Renewable Energy Lab., Colorado)
MASCARENHAS A
(National Renewable Energy Lab., Colorado)
WEI P
(Univ. Montreal, QC, CAN)
SCHIETTEKATTE F
(Univ. Montreal, QC, CAN)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 82  号: 14  ページ: 2245-2247  発行年: 2003年04月07日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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