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文献
J-GLOBAL ID：200902249179090147
整理番号：03A0258119
GaAs1-xBixの分子ビームエピタクシーによる成長
Molecular beam epitaxy growth of GaAs1-xBix
TIXIER S
(Univ. British Columbia, BC, CAN)
,
ADAMCYK M
(Univ. British Columbia, BC, CAN)
,
TIEDJE T
(Univ. British Columbia, BC, CAN)
,
FRANCOEUR S
(National Renewable Energy Lab., Colorado)
,
MASCARENHAS A
(National Renewable Energy Lab., Colorado)
,
WEI P
(Univ. Montreal, QC, CAN)
,
SCHIETTEKATTE F
(Univ. Montreal, QC, CAN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 82 号： 14 ページ： 2245-2247 発行年： 2003年04月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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