文献
J-GLOBAL ID:200902249275889660
整理番号:03A0547810
透明酸化物半導体のp-NiOとn-ZnOで構成するpnヘテロ接合ダイオードの作製と光応答
Fabrication and photoresponse of a pn-heterojunction diode composed of transparent oxide semiconductors, p-NiO and n-ZnO
著者 (8件):
OHTA H
(JST-ERATO, Kawasaki, JPN)
,
HIRANO M
(JST-ERATO, Kawasaki, JPN)
,
NAKAHARA K
(Rhom Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
MARUTA H
(Rhom Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
TANABE T
(Rhom Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
KAMIYA M
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
KAMIYA T
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
HOSONO H
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
83
号:
5
ページ:
1029-1031
発行年:
2003年08月04日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)