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文献
J-GLOBAL ID：200902249524499479
整理番号：06A0370645
対向ターゲット直流スパッタリングによるSi(111)上半導体β-FeSi2薄膜の直接エピタキシャル成長
Direct epitaxial growth of semiconducting β-FeSi2 thin films on Si(111) by facing targets direct-current sputtering
YOSHITAKE T.
(Dep. of Applied Sci. for Electronics and Materials, Kyushu Univ., 6-1 Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN)
,
INOKUCHI Y.
(Dep. of Applied Sci. for Electronics and Materials, Kyushu Univ., 6-1 Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN)
,
YURI A.
(Dep. of Applied Sci. for Electronics and Materials, Kyushu Univ., 6-1 Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN)
,
NAGAYAMA K.
(Dep. of Aeronautics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Nishi-ku, Fukuoka 819-0395, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 88 号： 18 ページ： 182104-182104-3 発行年： 2006年05月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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