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文献
J-GLOBAL ID：200902249697443983
整理番号：04A0166404
フラッシュランププロセッシングにより改良されたSi上の3C-SiCエピタキシャル成長膜
Improved 3C-SiC Films Epitaxially Grown on Si by Flash Lamp Processing
STOEMENOS J
(Forschungszentrum Rossendorf, Dresden, DEU)
,
PANKNIN D
(Forschungszentrum Rossendorf, Dresden, DEU)
,
EICKHOFF M
(Daimler Chrysler AG, Muenchen, DEU)
,
HEERA V
(Forschungszentrum Rossendorf, Dresden, DEU)
,
SKORUPA W
(Forschungszentrum Rossendorf, Dresden, DEU)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 151 号： 2 ページ： G136-G143 発行年： 2004年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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