文献
J-GLOBAL ID:200902249880780743
整理番号:03A0506865
25nmゲート長に至る,歪みSi nMOSFETのスケーラビリティ
Scalability of Strained-Si nMOSFETs Down to 25nm Gate Length
著者 (9件):
GOO J-S
(Advanced Micro Devices, Inc., CA USA)
,
XIANG Q
(Advanced Micro Devices, Inc., CA USA)
,
TAKAMURA Y
(Stanford Univ., CA, USA)
,
WANG H
(Advanced Micro Devices, Inc., CA USA)
,
PAN J
(Advanced Micro Devices, Inc., CA USA)
,
ARASNIA F
(Advanced Micro Devices, Inc., CA USA)
,
LOCHTEFELD A
(AmberWave Systems Co., NH, USA)
,
BRAITHWAITE G
(AmberWave Systems Co., NH, USA)
,
CURRIE M T
(AmberWave Systems Co., NH, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
24
号:
5
ページ:
351-353
発行年:
2003年05月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)