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文献
J-GLOBAL ID：200902249937327200
整理番号：07A0478840
酸化ハフニウムを用いた不揮発性抵抗メモリの低パワースイッチング
Low-Power Switching of Nonvolatile Resistive Memory Using Hafnium Oxide
LEE Heng-Yuan
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
CHEN Pang-Shiu
(MingShin Univ. Sci. and Technol., Hsinchu, TWN)
,
WANG Ching-Chiun
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
MAIKAP Siddheswar
(Chang Gung Univ., Tao-Yuan, TWN)
,
TZENG Pei-Jer
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
LIN Cha-Hsin
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
LEE Lurng-Shehng
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
TSAI Ming-Jinn
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 46 号： 4B ページ： 2175-2179 発行年： 2007年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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