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文献
J-GLOBAL ID:200902250093102264   整理番号:04A0442451

水素反応性基板に対する低水素フロー速度領域でのRFスパッタリングによる無定形の水素化炭素膜の合成

Preparation of Amorphous Hydrogenated Carbon Films by RF Sputtering at a Low-Hydrogen-Flow-Rate Region for Hydrogen-Reactive Substrates
著者 (5件):
OSHIRO T
(Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN)
YAMAZATO M
(Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN)
HIGA A
(Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN)
MAEHAMA T
(Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN)
TOGUCHI M
(Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

巻: 43  号: 5A  ページ: 2640-2644  発行年: 2004年05月15日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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