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文献
J-GLOBAL ID：200902250093102264
整理番号：04A0442451
水素反応性基板に対する低水素フロー速度領域でのRFスパッタリングによる無定形の水素化炭素膜の合成
Preparation of Amorphous Hydrogenated Carbon Films by RF Sputtering at a Low-Hydrogen-Flow-Rate Region for Hydrogen-Reactive Substrates
OSHIRO T
(Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN)
,
YAMAZATO M
(Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN)
,
HIGA A
(Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN)
,
MAEHAMA T
(Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN)
,
TOGUCHI M
(Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43 号： 5A ページ： 2640-2644 発行年： 2004年05月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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