文献
J-GLOBAL ID:200902250237945970
整理番号:07A1043621
極薄体シリコンオン絶縁体金属酸化物半導体型電界効果トランジスタの電子移動度に関する実験研究
Experimental study on electron mobility in ultrathin-body silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
著者 (3件):
UCHIDA Ken
(Advanced LSI Technol. Lab., Toshiba Corp. 8, Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama 235-8522, JPN)
,
KOGA Junji
(Advanced LSI Technol. Lab., Toshiba Corp. 8, Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama 235-8522, JPN)
,
TAKAGI Shin-ichi
(Advanced LSI Technol. Lab., Toshiba Corp. 8, Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama 235-8522, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
102
号:
7
ページ:
074510
発行年:
2007年10月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)