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文献
J-GLOBAL ID：200902251215829094
整理番号：03A0752277
最小のドレイン電流低下とフラットバンドシフトを持ったHf-ドープとNH3-窒化物の高Kゲート誘電体薄膜
Hf-doped and NH3-nitrided high-K gate dielectric thin film with least drain current degradation and flatband voltage shift.
YANG C W
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
FANG Y K
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
LIN C S
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
TSAIR Y S
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
WANG W D
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
WANG M F
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
,
CHENG J Y
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
,
CHEN S C
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
,
LIANG M S
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 39 号： 21 ページ： 1499-1501 発行年： 2003年10月16日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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