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文献
J-GLOBAL ID：200902251228540484
整理番号：03A0656855
超低消費電力を特徴とする相変化RAMのためのエッジコンタクト型セル
An Edge Contact Type Cell for Phase Change RAM Featuring Very Low Power Consumption
HA Y H
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
YI J H
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
HORII H
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
PARK J H
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
JOO S H
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
PARK S O
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
CHUNG U I
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
MOON J T
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2003 ページ： 175-176 発行年： 2003年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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