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文献
J-GLOBAL ID：200902251347272420
整理番号：03A0724016
超薄Al2O3誘電体を用いた絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタにおける電流急減の抑制
Suppression of current collapse in insulated gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors using ultrathin Al2O3 dielectric
HASHIZUME T
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
OOTOMO S
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
HASEGAWA H
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 83 号： 14 ページ： 2952-2954 発行年： 2003年10月06日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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