文献
J-GLOBAL ID:200902251554205318
整理番号:05A0587678
サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価
Characterization of low dislocation density GaN grown on sapphire R-plane substrate
著者 (13件):
岡留由真
(名城大 大学院理工学研究科)
,
古川寛子
(名城大 大学院理工学研究科)
,
土屋陽祐
(名城大 大学院理工学研究科)
,
川島毅士
(名城大 大学院理工学研究科)
,
井村将隆
(名城大 大学院理工学研究科)
,
仲野靖孝
(名城大 大学院理工学研究科)
,
本塩彰
(名城大 大学院理工学研究科)
,
津田道信
(名城大 大学院理工学研究科)
,
津田道信
(京セラ)
,
岩谷素顕
(名城大 大学院理工学研究科)
,
上山智
(名城大 大学院理工学研究科)
,
天野浩
(名城大 大学院理工学研究科)
,
赤崎勇
(名城大 大学院理工学研究科)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
105
号:
90(ED2005 34-57)
ページ:
101-105
発行年:
2005年05月20日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)