文献
J-GLOBAL ID:200902251588079982
整理番号:04A0019549
InP(100)のバルク状態とC1表面状態との間の電子散乱動力学
Dynamics of electron scattering between bulk states and the C1 surface state of InP(100)
著者 (6件):
TOEBEN L
(Hahn-Meitner-Inst., Berlin, DEU)
,
GUNDLACH L
(Hahn-Meitner-Inst., Berlin, DEU)
,
HANNAPPEL T
(Hahn-Meitner-Inst., Berlin, DEU)
,
ERNSTORFER R
(Hahn-Meitner-Inst., Berlin, DEU)
,
EICHBERGER R
(Hahn-Meitner-Inst., Berlin, DEU)
,
WILLIG F
(Hahn-Meitner-Inst., Berlin, DEU)
資料名:
Applied Physics. A. Materials Science & Processing
(Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻:
A78
号:
2
ページ:
239-245
発行年:
2004年01月
JST資料番号:
D0256C
ISSN:
0947-8396
CODEN:
APHYCC
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)