文献
J-GLOBAL ID:200902251614290050
整理番号:08A1198222
AM-LCDs用のボトムゲート酸化亜鉛薄膜トランジスタ(ZnO TFTs)
Bottom-Gate Zinc Oxide Thin-Film Transistors (ZnO TFTs) for AM-LCDs
著者 (16件):
HIRAO Takashi
(Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN)
,
HIRAO Takashi
(Kochi Industrial Promotion Center, Kochi, JPN)
,
FURUTA Mamoru
(Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN)
,
FURUTA Mamoru
(Kochi Industrial Promotion Center, Kochi, JPN)
,
HIRAMATSU Takahiro
(Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN)
,
HIRAMATSU Takahiro
(Kochi Industrial Promotion Center, Kochi, JPN)
,
MATSUDA Tokiyoshi
(Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN)
,
MATSUDA Tokiyoshi
(Kochi Industrial Promotion Center, Kochi, JPN)
,
LI Chaoyang
(Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN)
,
LI Chaoyang
(Kochi Industrial Promotion Center, Kochi, JPN)
,
FURUTA Hiroshi
(Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN)
,
FURUTA Hiroshi
(Kochi Industrial Promotion Center, Kochi, JPN)
,
HOKARI Hitoshi
(Casio Computer Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
YOSHIDA Motohiko
(Casio Computer Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
ISHII Hiromitsu
(Casio Computer Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
KAKEGAWA Masayuki
(Casio Computer Co., Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
55
号:
11
ページ:
3136-3142
発行年:
2008年11月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)