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文献
J-GLOBAL ID：200902251690936326
整理番号：06A0300829
分子線エピタクシーにより成長したN極性InN膜に対するエピタキシャル温度の効果
Effect of epitaxial temperature on N-polar InN films grown by molecular beam epitaxy
WANG Xinqiang
(Dep. of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba Univ., 1-33 Yayoi-cho, Inage-ku, Chiba 263-8522, Japan; Center ...)
,
CHE Song-bek
(Dep. of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba Univ., 1-33 Yayoi-cho, Inage-ku, Chiba 263-8522, Japan; Center ...)
,
ISHITANI Yoshihiro
(Dep. of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba Univ., 1-33 Yayoi-cho, Inage-ku, Chiba 263-8522, Japan; Center ...)
,
YOSHIKAWA Akihiko
(Dep. of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba Univ., 1-33 Yayoi-cho, Inage-ku, Chiba 263-8522, Japan; Center ...)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 99 号： 7 ページ： 073512-073512-5 発行年： 2006年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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