文献
J-GLOBAL ID:200902251707308871
整理番号:03A0457492
Cuメタライゼーション用の立方晶Ta拡散障壁の新しい堆積法
A new method for deposition of cubic Ta diffusion barrier for Cu metallization
著者 (6件):
YUAN Z L
(Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP)
,
ZHANG D H
(Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP)
,
LI C Y
(Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP)
,
PRASAD K
(Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP)
,
TAN C M
(Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP)
,
TANG L J
(Inst. Microelectronics, Singapore, SGP)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
434
号:
1/2
ページ:
126-129
発行年:
2003年06月23日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)