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文献
J-GLOBAL ID:200902251965067536   整理番号:09A0363046

最先端リソグラフィー技術とGate-first MG/HKプロセス技術を用いたコスト競争力のある32nm世代CMOS Platform Technology

A Cost-Conscious 32nm CMOS Platform Technology with Advanced Single Exposure Lithography and Gate-First Metal Gate/High-K Process
著者 (40件):
長谷川俊介
(東芝)
北村陽介
(東芝)
高畑和宏
(東芝)
岡本浩樹
(東芝)
宮下桂
(東芝)
石田達也
(東芝)
青田正司
(東芝)
東篤志
(東芝)
福島崇
(東芝)
原川秀明
(東芝)
猪原正弘
(東芝)
犬宮誠治
(東芝)
石塚竜嗣
(東芝)
小島健嗣
(東芝)
小向敏章
(東芝)
長友浩二
(東芝)
松永範昭
(東芝)
三本木省次
(東芝)
中嶋一明
(東芝)
中塚圭祐
(東芝)
西郡正人
(東芝)
野町映子
(東芝)
小川竜二
(東芝)
岡本晋太郎
(東芝)
岡野公俊
(東芝)
沖知普
(東芝)
小野田裕之
(東芝)
佐々木俊行
(東芝)
佐竹正城
(東芝)
鈴木陽子
(東芝)
内海邦明
(東芝)
渡部忠兆
(東芝)
吉水康人
(東芝)
成瀬宏
(東芝)
中山武雄
(東芝)
松岡史倫
(東芝)
平井友洋
(NEC Electronics)
相澤宏一
(NEC Electronics)
長谷川英司
(NEC Electronics)
岩本敏幸
(NEC Electronics)

資料名:
電気学会電子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)

巻: EDD-09  号: 34-49  ページ: 5-9  発行年: 2009年03月09日 
JST資料番号: Z0910A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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