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文献
J-GLOBAL ID：200902252207962288
整理番号：05A0824954
電子-光サンプリング技術を用いたInGaAs/InAlAs HEMT過渡応答のキャラクタリゼーション
Characterization of the InGaAs/InAlAs HEMT Transit Output Response by Using an Electro-Optical Sampling Technique
KIM Seong-Jin
(Itswell Co., Ltd., Chungbuk)
,
ITATANI T.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SUGAYA T.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
OGURA M.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SUGIYAMA Y.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
Journal of the Korean Physical Society
(Journal of the Korean Physical Society)
巻： 47 号： 3 ページ： 520-524 発行年： 2005年09月15日
JST資料番号： T0357A ISSN： 0374-4884 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 韓国 (KOR) 言語： 英語 (EN)
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