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文献
J-GLOBAL ID:200902252207962288   整理番号:05A0824954

電子-光サンプリング技術を用いたInGaAs/InAlAs HEMT過渡応答のキャラクタリゼーション

Characterization of the InGaAs/InAlAs HEMT Transit Output Response by Using an Electro-Optical Sampling Technique
著者 (5件):
KIM Seong-Jin
(Itswell Co., Ltd., Chungbuk)
ITATANI T.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
SUGAYA T.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
OGURA M.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
SUGIYAMA Y.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

資料名:
Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)

巻: 47  号:ページ: 520-524  発行年: 2005年09月15日 
JST資料番号: T0357A  ISSN: 0374-4884  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 韓国 (KOR)  言語: 英語 (EN)
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