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文献
J-GLOBAL ID：200902252361744781
整理番号：04A0709728
異なった抵抗率温度係数を持つナノ構造パラジウムドープSiO2膜の作製
Fabrication of nanostructured palladium-doped SiO2 films with variable temperature coefficient of resistivity
ICHINOHE T
(Tokyo National Coll. of Technol., Tokyo, JPN)
,
MASAKI S
(Tokyo National Coll. of Technol., Tokyo, JPN)
,
UCHIDA K
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
NOZAKI S
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
MORISAKI H
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 466 号： 1/2 ページ： 27-33 発行年： 2004年11月01日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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