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文献
J-GLOBAL ID：200902252574058806
整理番号：05A0265544
MOCVDにより(111)シリコン基板上に成長させたInGaN LEDの高い性能
High Performance of InGaN LEDs on (111) Silicon Substrates Grown by MOCVD
EGAWA T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ZHANG B
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ISHIKAWA H
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 26 号： 3 ページ： 169-171 発行年： 2005年03月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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