文献
J-GLOBAL ID:200902252671251491
整理番号:09A0848873
BIGT(二重モード絶縁ゲートトランジスタ):高電圧応用のための可能性ある技術
The Bi-mode Insulated Gate Transistor (BIGT) A Potential Technology for Higher Power Applications
著者 (6件):
RAHIMO M.
(ABB Switzerland Ltd, Lenzburg, CHE)
,
KOPTA A.
(ABB Switzerland Ltd, Lenzburg, CHE)
,
SCHLAPBACH U.
(ABB Switzerland Ltd, Lenzburg, CHE)
,
VOBECKY J.
(ABB Switzerland Ltd, Lenzburg, CHE)
,
SCHNELL R.
(ABB Switzerland Ltd, Lenzburg, CHE)
,
KLAKA S.
(ABB Switzerland Ltd, Lenzburg, CHE)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
21st
ページ:
283-286
発行年:
2009年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)