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文献
J-GLOBAL ID：200902252815734409
整理番号：04A0568137
“核生成増強”法を用いた分子線エピタキシーにより成長させたInAs自己形成量子ドットの増強された光ルミネセンス
Enhanced photoluminescence of InAs self-assembled quantum dots grown by molecular-beam epitaxy using a “nucleation-augmented” method
CHIA C K
(Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore)
,
CHUA S J
(Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore)
,
MIAO Z L
(Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore)
,
CHYE Y H
(Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 85 号： 4 ページ： 567-569 発行年： 2004年07月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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