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文献
J-GLOBAL ID：200902253085308332
整理番号：09A0729746
リソグラフィー技術を使わずシリコン基板のプリパターンニングで作製したp型シリコン基板上の直径200nm以下の高度に秩序化した六方晶配列垂直円筒ポア
Highly ordered hexagonally arranged sub-200nm diameter vertical cylindrical pores on p-type Si using non-lithographic pre-patterning of the Si substrate
ZACHARATOS Filimon
(IMEL/NCSR “Demokritos”, Athens, GRC)
,
GIANNETA Violetta
(IMEL/NCSR “Demokritos”, Athens, GRC)
,
NASSIOPOULOU Androula G.
(IMEL/NCSR “Demokritos”, Athens, GRC)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 206 号： 6 ページ： 1286-1289 発行年： 2009年06月
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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