文献
J-GLOBAL ID:200902253113201530
整理番号:05A0496384
シリコン注入GaNの電気活性化特性
Electrical activation characteristics of silicon-implanted GaN
著者 (4件):
IROKAWA Y.
(Toyota Central Res. and Dev. Lab., Inc., Aichi, JPN)
,
FUJISHIMA O.
(Toyota Central Res. and Dev. Lab., Inc., Aichi, JPN)
,
KACHI T.
(Toyota Central Res. and Dev. Lab., Inc., Aichi, JPN)
,
NAKANO Y.
(Toyota Central Res. and Dev. Lab., Inc., Aichi, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
97
号:
8
ページ:
083505.1-083505.5
発行年:
2005年04月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)