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文献
J-GLOBAL ID：200902253200407188
整理番号：05A1007016
有機金属化学蒸気たい積法で成長させたa面GaNの放射特性
Emission properties of a-plane GaN grown by metal-organic chemical-vapor deposition
PASKOV P. P.
(Dep. of Physics and Measurements Technol., Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE)
,
SCHIFANO R.
(Dep. of Physics and Measurements Technol., Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE)
,
MONEMAR B.
(Dep. of Physics and Measurements Technol., Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE)
,
PASKOVA T.
(Inst. of Solid State Physics, Univ. of Bremen, 28359 Bremen, DEU)
,
FIGGE S.
(Inst. of Solid State Physics, Univ. of Bremen, 28359 Bremen, DEU)
,
HOMMEL D.
(Inst. of Solid State Physics, Univ. of Bremen, 28359 Bremen, DEU)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 98 号： 9 ページ： 093519-093519-7 発行年： 2005年11月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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