文献
J-GLOBAL ID:200902253207746662
整理番号:08A0065005
TEMAHf,TEMAZrおよびオゾンを用いて原子層蒸着したHf1-xZrxO2の物理的,電気的性質
Physical and Electrical Properties of Atomic-Layer-Deposited HfxZr1-xO2 with TEMAHf, TEMAZr, and Ozone
著者 (5件):
TRIYOSO D. H.
(Freescale Semiconductor, Inc., Texas, USA)
,
GREGORY R.
(Vesta Technol., California, USA)
,
PARK M.
(Vesta Technol., California, USA)
,
WANG K.
(Vesta Technol., California, USA)
,
LEE S. I.
(Freescale Semiconductor, Inc., Texas, USA)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
155
号:
1
ページ:
H43-H46
発行年:
2008年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)