文献
J-GLOBAL ID:200902253358284474
整理番号:04A0198224
MOCVDにより蒸着したSiBN膜の調製
Preparation of SiBN films deposited by MOCVD
著者 (2件):
NAKAMURA K
(Nihon Univ., Tokyo, JPN)
,
SASAKI T
(Nihon Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
Journal of Solid State Chemistry
(Journal of Solid State Chemistry)
巻:
177
号:
2
ページ:
542-546
発行年:
2004年02月
JST資料番号:
H0505A
ISSN:
0022-4596
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)