文献
J-GLOBAL ID:200902253416478020
整理番号:06A0553186
MBE法による高Jcas-grown MgB2薄膜の磁束ピンニング特性
著者 (11件):
藤吉孝則
(熊本大 工)
,
春田正和
(熊本大 工)
,
木原眞太郎
(熊本大 工)
,
末吉哲郎
(熊本大 工)
,
吉澤正人
(岩手大 大学院工学研究科)
,
入宇田啓樹
(岩手大 大学院工学研究科)
,
高橋輝一
(岩手大 大学院工学研究科)
,
原田善之
(いわて産業振興セ)
,
宮川隆二
(熊本県工技セ)
,
淡路智
(東北大 金属材料研)
,
渡辺和雄
(東北大 金属材料研)
資料名:
東北大学金属材料研究所強磁場超伝導材料研究センター年次報告
(Annual Report. High Field Laboratory for Superconducting Materials, Institute for Materials Research, Tohoku University)
巻:
2005
ページ:
47-50
発行年:
2006年06月
JST資料番号:
X0986A
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)