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文献
J-GLOBAL ID：200902253559371170
整理番号：05A0154099
サブ45nmノードCMOSのためのNi完全シリサイドゲートにおけるドーパントのスキャニングによる仕事関数調整と関連効果
Work function tuning through dopant scanning and related effects in Ni fully silicided gate for sub-45nm nodes CMOS
AIME D
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
FROMENT B
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
CACHO F
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
CARRON V
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
FARJOT T
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
JULLIAN S
(Philips Semiconductor, Crolles, FRA)
,
LAVIRON C
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
MOLINS R
(Centre des Materiaux Pierre-Marie Fourt, Evry, FRA)
,
SOUIFI A
(INSA de Lyon, Villeurbanne, FRA)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2004 ページ： 87-90 発行年： 2004年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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