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文献
J-GLOBAL ID：200902253768984694
整理番号：09A1257133
組成的に傾斜したSiGeのバルク結晶の成長とGe含有量の横方向変化をもつ基板としてのその応用
Growth of Compositionally Graded SiGe Bulk Crystal and Its Application As Substrate with Lateral Variation in Ge Content
NIHEI Ryota
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
USAMI Noritaka
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
NAKAJIMA Kazuo
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48 号： 11 ページ： 115507.1-115507.4 発行年： 2009年11月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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