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文献
J-GLOBAL ID:200902253842048815   整理番号:07A0567880

シンクロトロン放射を使い実時間光電子分光法により調べたSi(001)表面層毎の酸化

Si(001) Surface Layer-by-Layer Oxidation Studied by Real-Time Photoelectron Spectroscopy using Synchrotron Radiation
著者 (6件):
OGAWA Shuichi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
YOSHIGOE Akitaka
(Japan Atomic Energy Res. Agency, Hyogo, JPN)
ISHIDZUKA Shinji
(Akita National Coll. of Technol., Akita, JPN)
TERAOKA Yuden
(Japan Atomic Energy Res. Agency, Hyogo, JPN)
TAKAKUWA Yuji
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
TAKAKUWA Yuji
(JST-CREST, Sendai, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

巻: 46  号: 5B  ページ: 3244-3254  発行年: 2007年05月30日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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