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文献
J-GLOBAL ID：200902253842048815
整理番号：07A0567880
シンクロトロン放射を使い実時間光電子分光法により調べたSi(001)表面層毎の酸化
Si(001) Surface Layer-by-Layer Oxidation Studied by Real-Time Photoelectron Spectroscopy using Synchrotron Radiation
OGAWA Shuichi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
YOSHIGOE Akitaka
(Japan Atomic Energy Res. Agency, Hyogo, JPN)
,
ISHIDZUKA Shinji
(Akita National Coll. of Technol., Akita, JPN)
,
TERAOKA Yuden
(Japan Atomic Energy Res. Agency, Hyogo, JPN)
,
TAKAKUWA Yuji
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TAKAKUWA Yuji
(JST-CREST, Sendai, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 46 号： 5B ページ： 3244-3254 発行年： 2007年05月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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