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文献
J-GLOBAL ID：200902253949046785
整理番号：06A0895485
不揮発性水素化非晶質シリコン薄膜トランジスタメモリ素子
Nonvolatile hydrogenated-amorphous-silicon thin-film-transistor memory devices
KUO Yue
(Thin Film Nano and Microelectronics Res. Lab., Texas A&M Univ., Coll. Station, 3122 TAMU, Texas 77843)
,
NOMINANDA Helinda
(Thin Film Nano and Microelectronics Res. Lab., Texas A&M Univ., Coll. Station, 3122 TAMU, Texas 77843)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 89 号： 17 ページ： 173503-173503-3 発行年： 2006年10月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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