文献
J-GLOBAL ID:200902254707039241
整理番号:09A0948394
半絶縁性AlInNキャップ層とスパッタ蒸着ITO(酸化インジウムスズ)透明電極を用いたGaN MSM(金属-半導体-金属)光検出器
GaN MSM Photodetectors with a Semi-Insulating AlInN Cap Layer and Sputtered ITO Transparent Electrodes
著者 (9件):
WENG W. Y.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHUANG R. W.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHUANG R. W.
(National Nano Device Lab., Tainan, TWN)
,
CHANG S. J.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
LAI W. C.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
HSUEH T. J.
(National Nano Device Lab., Tainan, TWN)
,
SHEI S. C.
(National Univ. Tainan, Tainan, TWN)
,
ZENG X. F.
(National Univ. Tainan, Tainan, TWN)
,
WU S. L.
(Cheng Shiu Univ., Kaohsiung, TWN)
資料名:
Electrochemical and Solid-State Letters
(Electrochemical and Solid-State Letters)
巻:
12
号:
10
ページ:
H369-H372
発行年:
2009年
JST資料番号:
W1290A
ISSN:
1099-0062
CODEN:
ESLEF6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)