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文献
J-GLOBAL ID：200902254751221367
整理番号：09A0934588
水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスタの比較としてのアモルファスInGaZnO4薄膜トランジスタの二重ゲート特性
Dual-Gate Characteristics of Amorphous InGaZnO4 Thin-Film Transistors as Compared to Those of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin-Film Transistors
TAKECHI Kazushige
(Technol. Res. Assoc. Advanced Display Materials(TRADIM), Tokyo, JPN)
,
NAKATA Mitsuru
(Technol. Res. Assoc. Advanced Display Materials(TRADIM), Tokyo, JPN)
,
AZUMA Kazufumi
(Technol. Res. Assoc. Advanced Display Materials(TRADIM), Tokyo, JPN)
,
YAMAGUCHI Hirotaka
(NEC LCD Technol., Ltd., Kawasaki, JPN)
,
KANEKO Setsuo
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 56 号： 9 ページ： 2027-2033 発行年： 2009年09月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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