文献
J-GLOBAL ID:200902255025963903
整理番号:05A0443345
Si上にエピタキシャル成長したGeにおける高品質p-MOSFETの作製
Fabrication of High-Quality p-MOSFET in Ge Grown Heteroepitaxially on Si
著者 (4件):
NAYFEH AMMAR
(Stanford Univ., CA, USA)
,
CHUI CHI ON
(Stanford Univ., CA, USA)
,
YONEHARA TAKAO
(Canon, Inc., Kanagawa, JPN)
,
SARASWAT KRISHNA C
(Stanford Univ., CA, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
26
号:
5
ページ:
311-313
発行年:
2005年05月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)