文献
J-GLOBAL ID:200902255075952031
整理番号:08A0055977
素子シミュレーションによる超薄体SOI MOSFETにおける自己加熱効果の解析
Analysis of Self-Heating Effects in Ultrathin-Body SOI MOSFETs by Device Simulation
著者 (7件):
FIEGNA Claudio
(Univ. Bologna, Cesena, ITA)
,
FIEGNA Claudio
(Italian Univ. Nanoelectronic Team, Bologna, ITA)
,
YANG Yang
(Newcastle Univ., Newcastle upon Tyne, GBR)
,
YANG Yang
(George Mason Univ., VA, USA)
,
SANGIORGI Enrico
(Univ. Bologna, Cesena, ITA)
,
SANGIORGI Enrico
(Italian Univ. Nanoelectronic Team, Bologna, ITA)
,
O’NEILL Anthony G.
(Newcastle Univ., Newcastle upon Tyne, GBR)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
55
号:
1
ページ:
233-244
発行年:
2008年01月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)