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文献
J-GLOBAL ID：200902255311508245
整理番号：05A0213616
ラジカル窒化酸化膜におけるNプロファイル制御
Control of Nitrogen depth profile in radical nitrided silicon oxide film.
河瀬和雅
(三菱電機)
,
梅田浩司
(ルネサステクノロジ)
,
井上真雄
(ルネサステクノロジ)
,
辻川真平
(ルネサステクノロジ)
,
赤松泰彦
(ルネサステクノロジ)
,
諏訪智之
(東北大)
,
樋口正顕
(東北大)
,
小村政則
(東北大)
,
寺本章伸
(東北大)
資料名：
半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集
(Proceedings of the Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology)
巻： 67th ページ： 72-75 発行年： 2004年12月09日
JST資料番号： F0108B 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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