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文献
J-GLOBAL ID：200902255437039631
整理番号：09A0524055
Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術
Graphene-on-silicon (GOS) technology for formation of high-mobility ultrathin channel layer on Si substrate
半田浩之
(東北大 電通研)
,
宮本優
(東北大 電通研)
,
齋藤英司
(東北大 電通研)
,
吹留博一
(東北大 電通研)
,
伊藤隆
(東北大 学際科学国際高等研究セ)
,
末光眞希
(東北大 電通研)
,
末光眞希
(JST-CREST)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 109 号： 16(ED2009 1-17) ページ： 39-43 発行年： 2009年04月16日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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