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文献
J-GLOBAL ID：200902255796562412
整理番号：03A0151339
サブミクロン-シリコンデバイス中の不均一応力に関するRaman分光による決定
Raman-spectroscopic determination of inhomogeneous stress in submicron silicon devices.
DIETRICH B
(IHP, Frankfurt(Oder), DEU)
,
BUKALO V
(IHP, Frankfurt(Oder), DEU)
,
FISCHER A
(IHP, Frankfurt(Oder), DEU)
,
DOMBROWSKI K F
(IHP, Frankfurt(Oder), DEU)
,
BUGIEL E
(IHP, Frankfurt(Oder), DEU)
,
KUCK B
(IHP, Frankfurt(Oder), DEU)
,
RICHTER H H
(IHP, Frankfurt(Oder), DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 82 号： 8 ページ： 1176-1178 発行年： 2003年02月24日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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