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文献
J-GLOBAL ID：200902255987775939
整理番号：03A0017645
完成しつつあるSiC中へのイオン注入技術とそのデバイスへの応用
Maturing ion-implantation technology and its device applications in SiC.
RAO M V
(George Mason Univ., VA, USA)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 47 号： 2 ページ： 213-222 発行年： 2003年02月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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