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文献
J-GLOBAL ID：200902256099032657
整理番号：03A0284503
テトラキスジエチルアミドハフニウムを経由して析出したHfO2ゲート誘電体
HfO2 Gate Dielectrics Deposited via Tetrakis Diethylamido Hafnium
SCHAEFFER J
(Motorola, Inc., Texas, USA)
,
EDWARDS N V
(Motorola, Inc., Texas, USA)
,
LIU R
(Motorola, Inc., Texas, USA)
,
ROAN D
(Motorola, Inc., Texas, USA)
,
HRADSKY B
(Motorola, Inc., Texas, USA)
,
GREGORY R
(Motorola, Inc., Texas, USA)
,
KULIK J
(Motorola, Inc., Texas, USA)
,
DUDA E
(Motorola, Inc., Texas, USA)
,
VOIGHT S
(Motorola, Inc., Texas, USA)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 150 号： 4 ページ： F67-F74 発行年： 2003年04月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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