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文献
J-GLOBAL ID：200902256201752783
整理番号：08A0657819
レジスト中の光電子飛跡追跡による極端紫外線リソグラフィーのシミュレーション
Extreme Ultraviolet Lithography Simulation by Tracing Photoelectron Trajectories in Resist
KOTERA Masatoshi
(Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN)
,
YAGURA Kei
(Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN)
,
YAGURA Kei
(NuFlare Technol., Inc., Shizuoka, JPN)
,
TANAKA Hiroyuki
(Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN)
,
KAWANO Daichi
(Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN)
,
MAEKAWA Takeshi
(Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47 号： 6 Issue 2 ページ： 4944-4949 発行年： 2008年06月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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