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文献
J-GLOBAL ID：200902256240276719
整理番号：05A0418080
高しきい値電圧をもつ埋込みゲートエンハンスメント-モードGaN HEMT
Recessed-gate enhancement-mode GaN HEMT with high threshold voltage
LANFORD W.B.
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA)
,
TANAKA T.
(Hitachi Cable Ltd, Ibaraki, JPN)
,
OTOKI Y.
(Hitachi Cable Ltd, Ibaraki, JPN)
,
ADESIDA I.
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 41 号： 7 ページ： 449-450 発行年： 2005年03月31日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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