文献
J-GLOBAL ID:200902256566391690
整理番号:04A0899522
ペンタセン薄膜トランジスタのデバイス性能におよぼすチャネルの幾何構造効果
Geometric Effect of Channel on Device Performance in Pentacene Thin-Film Transistor
著者 (8件):
KANG S J
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
NOH M
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
PARK D S
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
KIM H J
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
KIM S Y
(Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR)
,
KOO B W
(Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR)
,
KANG I N
(Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR)
,
WHANG C N
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
43
号:
11A
ページ:
7718-7721
発行年:
2004年11月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)