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文献
J-GLOBAL ID：200902256713801344
整理番号：05A0063453
p-型ドーピングに対する繰返し温度変調エピタクシーとZnO基の発光ダイオード
Repeated temperature modulation epitaxy for p-type doping and light-emitting diode based on ZnO
TSUKAZAKI A
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OHTOMO A
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
ONUMA T
(Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN)
,
MAKINO T
(Inst. Physical and Chemical Res., Sendai, JPN)
,
SUMIYA M
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
CHICHIBU S F
(Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN)
,
FUKE S
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
SEGAWA Y
(Inst. Physical and Chemical Res., Sendai, JPN)
,
KOINUMA H
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名：
Nature Materials
(Nature Materials)
巻： 4 号： 1 ページ： 42-46 発行年： 2005年01月
JST資料番号： W1364A ISSN： 1476-1122 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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