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文献
J-GLOBAL ID:200902256744714083   整理番号:05A0391918

グレースケールリソグラフィーと深い反応性イオンエッチングを用いた三次元シリコンMEMS構造体の微細加工

Microfabrication of 3D silicon MEMS structures using gray-scale lithography and deep reactive ion etching
著者 (4件):
WAITS C. M.
(Univ. Maryland, MD, USA)
MORGAN B.
(Univ. Maryland, MD, USA)
KASTANTIN M.
(Univ. Maryland, MD, USA)
GHODSSI R.
(Univ. Maryland, MD, USA)

資料名:
Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)

巻: A119  号:ページ: 245-253  発行年: 2005年03月28日 
JST資料番号: B0345C  ISSN: 0924-4247  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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