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文献
J-GLOBAL ID：200902256819920105
整理番号：08A0150460
2層グラフェンデバイスにおけるゲート誘起絶縁状態
Gate-induced insulating state in bilayer graphene devices
OOSTINGA Jeroen B.
(Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
,
HEERSCHE Hubert B.
(Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
,
LIU Xinglan
(Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
,
MORPURGO Alberto F.
(Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
,
VANDERSYPEN Lieven M.K.
(Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
資料名：
Nature Materials
(Nature Materials)
巻： 7 号： 2 ページ： 151-157 発行年： 2008年02月
JST資料番号： W1364A ISSN： 1476-1122 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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