文献
J-GLOBAL ID:200902257075761581
整理番号:07A0739501
p型およびn-型GaN/サファイア基板上のエンハンスメントモードnチャネルGaN MOSFET
Enhancement-Mode n-Channel GaN MOSFETs on p and n- GaN/Sapphire Substrates
著者 (3件):
HUANG W.
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA)
,
KHAN T.
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA)
,
CHOW T. P.
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
18th
ページ:
309-312
発行年:
2006年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)