文献
J-GLOBAL ID:200902257208128046
整理番号:08A0590614
HVPE法によって成長させた高品質の非極性m面GaN基板
High-quality nonpolar m-plane GaN substrates grown by HVPE
著者 (7件):
FUJITO Kenji
(Mitsubishi Chemical Corp., Ibaraki, JPN)
,
KIYOMI Kazumasa
(Mitsubishi Chemical Corp., Ibaraki, JPN)
,
MOCHIZUKI Tae
(Mitsubishi Chemical Corp., Ibaraki, JPN)
,
OOTA Hirotaka
(Mitsubishi Chemical Corp., Ibaraki, JPN)
,
NAMITA Hideo
(Mitsubishi Chemical Group Sci. and Technol. Res. Center, Inc., Yokohama, JPN)
,
NAGAO Satoru
(Mitsubishi Chemical Group Sci. and Technol. Res. Center, Inc., Yokohama, JPN)
,
FUJIMURA Isao
(Mitsubishi Chemical Corp., Ibaraki, JPN)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻:
205
号:
5
ページ:
1056-1059
発行年:
2008年05月
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
1862-6300
CODEN:
PSSABA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)