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J-GLOBAL ID：200902257326411739 整理番号：06A0921127

半導体表面からの励起電子誘起脱離(I)ハロゲン吸着シリコンへの電子・正孔注入の場合

Desorption Induced by Excited Electrons from Semiconductor Surfaces (I)-Desorption Induced by Electron-/hole-injection into Halogen-adsorbed Silicon Surfaces-

著者 (2件)：

首藤健一

(横浜国大)

田中正俊

(横浜国大)

資料名：

真空 (Journal of the Vacuum Society of Japan)

巻： 49 号： 10 ページ： 600-604 発行年： 2006年10月20日
JST資料番号： G0194A ISSN： 0559-8516 CODEN： SHINA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：文献レビュー発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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